VEB Gleichrichterwerk / Mikroelektronik „Karl Liebknecht“, Stahnsdorf

Katrin Verch (ergänzt und bearbeitet von Vinzenz Czech)

1948 wurde in den USA der Transistoreffekt entdeckt. Deshalb experimentierte ab 1952/53 eine Forschungsgruppe im „VEB Werk für Bauelemente der Nachrichtentechnik Carl von Ossietzky“ Teltow mit halbleitenden Materialien und stellte unter eher labormäßigen Bedingungen die ersten Transistoren und Dioden her. Die serienmäßige Produktion wurde 1958 in das „Halbleiterwerk Frankfurt (Oder)“ übergeleitet. In Teltow/Stahnsdorf sollte eine separate Entwicklungsstelle für Halbleitertechnik entstehen.

Dazu wurde die Entwicklungsstelle für Halbleiter des „VEB Werk für Bauelemente der Nachrichtentechnik“ ausgegliedert und am 1. Januar 1960 das „Institut für Halbleitertechnik“ gegründet. Im Juni 1960 erfolgte der Baubeginn für den neuen Komplex in Stahnsdorf. Die Übergabe verzögerte sich bis 1964.

Das IHT sollte indes nicht nur die elektronischen Bauelemente selbst entwickeln, sondern auch neue Methoden für die Kristallzüchtung, Verfahrenstechnik und Technologische Spezialausrüstungen für die Produktion entwickeln. Bis 1964 wuchs die Belegschaft hier von einigen Hundert auf rund 1200 Wissenschaftler, Ingenieure und Techniker.

1964 begann gleichzeitig eine Umstrukturierung des Instituts. Es wurde dem „VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder)“ als unselbstständiger Betriebsteil zugeordnet, firmierte von nun an als „Gleichrichterwerk Stahnsdorf“ und übernahm einen Teil der Produktion von Gleichrichtern. Hinzu kamen Transistoren und Dioden, später auch Mikrochips, Sensoren und Schaltmodule (Abb. 1, 2).

Am 1. Januar 1970 wurde innerhalb der VVB Bauelemente und Vakuumtechnik Berlin das Kombinat „VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder)“ geschaffen, dem der nun selbstständige „VEB Gleichrichterwerk Stahnsdorf“ zugeordnet war. 1978 entstand das „Kombinat Mikroelektronik Erfurt“. Ihm gehörte der Bereich Halbleiterbauelemente (u.a. der VEB Gleichrichterwerk Stahnsdorf) unter Leitung des „VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder)“ an. 1981 wurde das Gleichrichterwerk aus dem Leitbereich herausgelöst, verblieb aber im „VEB Kombinat Mikroelektronik Erfurt“. Am 6. Januar 1984 erhielt der Betrieb den Namen „VEB Mikroelektronik Karl Liebknecht Stahnsdorf“. 1990 entstand die Leistungselektronik Stahnsdorf AG, die später liquidiert wurde.

Quellen

Brandenburgisches Landeshauptarchiv Rep. 504 VEB Mikroelektronik „Karl Liebknecht“ Stahnsdorf. [Siehe: Hier]

Literatur

Verch, Katrin: VEB Mikroelektronik „Karl Liebknecht“ Stahnsdorf. In: Posselt, Rosemarie u.a. (Hrsg.): Staatliche Verwaltung, Wirtschaft, Parteien und Organisationen in den Bezirken Cottbus, Frankfurt (Oder) und Potsdam 1952-1990 (= Übersicht über die Bestände des Brandenburgischen Landeshauptarchivs; Teil III/2). Berlin 2005, S. 362.

Weckbrodt, Heiko: Stahnsdorf - Die vergessene Leistungselektronik-Schmiede der DDR. In: https://oiger.de/2021/11/28/stahnsdorf-die-vergessene-leistungselektronik-schmiede-der-ddr/181422

Abbildungsnachweis

Abb. 1 https://commons.wikimedia.org/wiki/File:MLS_Leistungstransistoren.jpg (Foto: Drahtlos – CC BY-SA 4.0).

Abb. 2 Gemeinfrei

Empfohlene Zitierweise

Verch, Katrin: VEB Gleichrichterwerk / Mikroelektronik „Karl Liebknecht“, Stahnsdorf, publiziert am 22.03.2022; in: Industriegeschichte Brandenburgs, URL: http://www.brandenburgikon.de (TT.MM.JJJJ)


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